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碳化硅 手册
碳化硅 手册
2020-04-21T12:04:12+00:00
碳化硅（SiC）器件: 相关PDF文档
网页查看与碳化硅（SiC）器件相关的PDF文档和数据手册 查看与碳化硅（SiC）器件相关的PDF文档和数据手册 中文 English 日本語 CATEGORIES 碳化硅（SiC）器件 碳化硅（SiC）器件: 相关PDF文档 储存到myST 概述 产品选择器 解决方案 文件 CAD资源 网页使用STPOWER SiC MOSFET创建比以往更高效、更紧凑的系统 借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。 意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积 碳化硅（SiC）MOSFET 意法半导体STMicroelectronics
碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品
网页查看与碳化硅（SiC）MOSFET 相关的产品 中文 English 日本語 CATEGORIES 碳化硅（SiC）器件 碳化硅（SiC）MOSFET 宣传册 (5) 手册 (1) 技术文献 应用手册 (3) 用户手册 (1) 出版刊物 Conference Paper (2) 技术文章 (1) 宣传册 网页2023年4月24日 对于系统设计人员而言，碳化硅CoolSiC™ MOSFET技术意味着最佳性能、可靠性和易用性。碳化硅（SiC) 功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻 sic 碳化硅mosfet英飞凌(infineon)官网 Infineon
碳化硅SIC器件CoolSiC™英飞凌(Infineon)官网 Infineon
网页2023年4月24日 我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品（包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET）的扩展。 如今，英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合，从超低压到高压功率器件等不一而足。 我们不仅要确保提供最适合的解决方案，还要进一步优化基于 网页2 天之前 CoolSiC™ MOSFET模块技术采用不同封装和拓扑 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此 碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块英飞凌 (infineon)官网
SiC（碳化硅）功率器件分立式元器件罗姆半导体集团
网页与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于 网页2022年9月15日 我司专注于第三代半导体碳化硅（SiC） MOS 芯片设计、功率模块的生产制造及其基于 SiC 器件在新能源领域 的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数 亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士 共同组建 国产碳化硅SIC MOS管和模块产品手册 知乎
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
网页2020年12月8日 目前全球95%以上的半导体元件，都是以代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料 网页2 天之前 碳化硅MOSFET为电力电子应用带来了大量机会。 然而，如何通过使用碳化硅MOSFET并搭配合适的栅极驱动芯片来充分实现系统优势呢？ 这次培训将帮助您学习如何计算碳化硅MOSFET的栅极电阻参考值；如何根据峰值电流和耗散功率要求来确定合适的栅极驱动IC；以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调 栅极驱动器IC驱动芯片英飞凌(Infineon)官网 Infineon
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网页2023年4月24日 我们不断在现有硅器件基础上进行碳化硅产品（包括沟槽技术领域革命性的CoolSiC™ MOSFET）的扩展。 如今，英飞凌可提供业界最全面的功率产品组合，从超低压到高压功率器件等不一而足。 我们不仅要确保提供最适合的解决方案，还要进一步优化基于 网页2 天之前 CoolSiC™ MOSFET模块技术采用不同封装和拓扑 英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。 碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。 此 碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块英飞凌 (infineon)官网
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网页与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于 网页2022年9月15日 我司专注于第三代半导体碳化硅（SiC） MOS 芯片设计、功率模块的生产制造及其基于 SiC 器件在新能源领域 的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数 亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士 共同组建 国产碳化硅SIC MOS管和模块产品手册 知乎
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